1.美光以1α制程扩产DDR4及LPDDR4内存

美光日前宣布，已于2026年5月在美国弗吉尼亚州马纳萨斯工厂启动基于1α（1-alpha）制程的DDR4和LPDDR4量产，计划2026年底前实现全面交付，专供汽车、国防、工业、医疗等长生命周期市场，产能将达此前的4倍。此前美光已通知主流消费/数据中心客户于2026年初终止DDR4/LPDDR4出货。

1α制程DDR4/LPDDR4在马纳萨斯晶圆厂已启动量产，属美国本土最先进DRAM产线，但落后于美光用于AI/HBM的1γ/1β，不面向手机/消费级主流市场。此量产明确服务于长生命周期工业与车规领域，因行业普遍转向DDR5/LPDDR5X导致DDR4/LPDDR4供应紧缺，美光“战略性重启”而非全面复产。

2.模拟芯片原厂矽力杰涨价函传出

市场消息显示，矽力杰已于2026年5月25日官宣，自2026年7月1日起对部分产品进行适度价格调整，具体涨幅依品项而定，涨价主因是晶圆制造、封测及原物料等供应链成本上升。

此次调价覆盖部分电源管理IC等模拟芯片产品，非全线涨价，且未公开具体幅度。此轮涨价属行业共性，受联电、日月光等代工/封测厂提价推动，非终端需求回暖所致。此前，TI、MPS、立锜等原厂都有涨价动态披露。

3.AI带动NAND闪存行业营收大涨

据IT之家消息，TrendForce集邦咨询的最新NAND闪存产业调查表示，主要原厂今年几无新增产能。而由于AI需求持续强劲，NAND的供给短缺预计持续整个2026年。

机构给出的数据显示，全球五大NAND闪存原厂2026Q1该部分业务合计营收在ASP（平均销售单价）普遍优于预期的带动下达389亿美元，环比增幅高达 83.7%。对第二季度的NAND市场，机构认为服务器将吃进智能手机与PC市场需求疲软空出的产能，原厂的出货规模稳中有进，ASP也将得到持续支撑。

4.三星加速西安闪存工厂工艺迭代

据快科技引述相关报道，三星正在加速其中国西安工厂的NAND闪存工艺迭代，目前已启动V9 NAND洁净室建设，并推进V8NAND产能爬坡，同时逐步淘汰V6 NAND产能。

西安工厂的V6 NAND生产已进入收尾阶段，此前该厂于3月30日完成了从128层V6 NAND向236层V8 NAND的技术升级投资。三星计划在今年内完成286层V9 NAND的投资并进行量产准备，目标是在2027年实现全面产出。

在该过渡期内，V8与V9 NAND将在西安工厂并行生产。目前西安工厂承担了三星全球约40%的NAND产量。

5.紫光国微公告收购瑞能半导体

紫光国微已正式公告，计划以19 亿元的价格收购瑞能半导体 100% 股权，旨在完善功率半导体产业链布局。收购款中3.8亿元以现金支付，剩余15.2亿元通过发行股份支付。交易完成后瑞能半导体将成为紫光国微全资子公司。

瑞能半导体是国内功率半导体IDM企业，前身源自恩智浦功率器件部门，2015年中资财团全资收购后实现独立运营，并于2019年完成100%中资控股。瑞能半导体拥有吉林、北京两座晶圆厂及上海模块厂。报告显示，瑞能半导体晶闸管产品全球市占率超过21%，位居全球第一，国内市占率高达36.2%。

6.英飞凌德国德累斯顿新晶圆厂即将启用

据IT之家消息，英飞凌首席运营官Alexander Gorski 在接受德国商报采访时表示，随着其位于萨克森州首府德累斯顿的大型新晶圆厂的投运，该企业在可预见的未来不会新建任何工厂。

英飞凌德累斯顿新晶圆厂也称Smart Power Fab，建筑面积2.9万平方米，项目总投资50亿欧元。而由于数据中心对功率半导体需求的旺盛，该站点将在今年7月启动生产并将加速满产，目标实现50亿美元的年营收。

Alexander Gorski称英飞凌的三大自有生产据点——德国德累斯顿、奥地利菲拉赫、马来西亚居林——预留了足够的扩产空间，无需重大新投资；与此同时，英飞凌也可通过合作伙伴格罗方德、合资企业ESMC获得额外的供应能力。

7.东芝出货1200V沟槽栅SiC MOSFET样品

东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET器件TW007D120E的测试样品，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

针对下一代AI数据中心的需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构，单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约58%，达到业界领先水平；同时其品质因数较现有产品提高了约52%。