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铠侠发布新一代Ver 3.1 UFS嵌入式闪存:厚度低至0.8毫米
2021-08-12 标签: 新品  存储  元件与制造 来源:cnBeta

铠侠(Kioxia)刚刚宣布了面向嵌入式设备的新一代 256 / 512GB UFS 闪存样品,特点是采用了 0.8 和 1.0 毫米高度的封装。除了较上一代产品更薄,得益于铠侠面向各种移动应用的最新高性能 BiCS FLASH 3D NAND 技术,其随机读取 / 写入速度也分别提升了 30% / 40% 。



使用嵌入式闪存的大量功耗 / 空间敏感型应用程序,对存储性能与密度的要求也相当之高,于是 UFS 正逐渐成为更受欢迎的首选解决方案。


Forward Insights 指出,UFS 现已占据 eMMC 相关的大部分市场需求(约占整体需求总量的 70%),且这一比例还将持续增长。


铠侠闪存产品高级总监 Scott Beekman 指出:


我公司最新的 UFS 产品,已通过主机性能加速(Host Performance Booster)等技术,进一步突破了性能的界限。


辅以业内领先的智能手机和其它应用所需的薄封装解决方案,我们很高兴能够增强使用 UFS 闪存的应用场景。


以下是铠侠新一代 256 / 512GB UFS 闪存的主要特点:


● 更薄的封装,高度可低至 0.8 毫米。


● 随机读取性能提升 30%。随机写入性能提升 40% 。


● 2.0 版 HPB 技术可利用主机端内存来存储逻辑物理转换表,以增强随机读取性能。


据悉,尽管 HPB Ver 1.0 仅启用了 4KB 块大小访问,HPB Ver 2.0 却支持更广泛的访问,以进一步提升随机读取性能。



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