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三星拟下半年开始向DDR5芯片过渡 速度提高一倍
2021-03-25 标签: 三星  存储  元件与制造 来源:新浪财经

三星电子周四宣布了新一代存储芯片计划,其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍,并提供迄今为止最大的容量,从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。作为全球最大存储芯片制造商,三星表示,已开发了512GB双倍数据速率5(DDR5)内存模块,基于传统上用于逻辑芯片的HKMG制造工艺。


DDR5的内存速度将是目前DDR4的两倍,同时减少泄漏,并减少13%的功耗。三星表示,预计将在今年下半年开始向DDR5的过渡。


芯片行业一直期待英特尔即将推出代号为Sapphire Rapids的Xeon可扩展处理器将采用新的内存标准,并对其提供支持。


三星表示,除了与两家主要的CPU供应商英特尔及和AMD合作,三星还向数据中心平台的开发者发送了新内存样品。


分析师估计,DDR5芯片将比DDR4芯片大20%左右,这将加大半导体供应链的压力。


三星打算今年开始出货,并逐步改进其制造工艺(扩大极端紫外线光刻技术的使用)和定价。该公司表示,DDR5取代DDR4预计将在2023年下半年发生。



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