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GlobalFoundries完成22FDX技术开发 将批量生产eMRAM芯片
2020-02-28 标签: 元件与制造  新品  半导体 来源:cnBeta

GlobalFoundries周四表示,它已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发。这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。该技术可用于多种应用,包括汽车,工业级MCU和物联网(IOT)。 GlobalFoundries的几个客户已准备在今年用eMRAM推出其首批22FDX芯片。


与当今广泛使用的eFlash相比,eMRAM具有许多优势,它不涉及电荷或电流,而是使用磁存储元件,并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期,这意味着更高的性能。此外,可以使用现代工艺技术生产MRAM,并且具有很高的耐久性。该技术有一些缺点,最终将通过使用ReRAM的制造工艺来解决,但GlobalFoundries和三星Foundry认为MRAM在绝大多数应用中都具有巨大潜力。


GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片,在ECC关闭模式下,在-40°C到125°C的工作温度下,具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。此外,公司的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试,包括LTOL(168小时)、HTOL(500小时)和5x焊料回流,故障率<1ppm。此外,GlobalFoundries还解决了(依赖于磁存储元件的产品)的磁抗扰性问题。


GlobalFoundries在德国德累斯顿的Fab 1中使用22FDX技术生产这种芯片。这种差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上,在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF,低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合,使客户能够交付新一代的超高性能,低功耗MCU的物联网应用。






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