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【芯资讯】NXP与世界先进宣布合资建立12英寸晶圆厂,面向汽车、工业等领域
2024-06-06 标签: ICNET  半导体  元件与制造 来源:ICNET

1.NXP与世界先进宣布合资建立12英寸晶圆厂

恩智浦(NXP)日前宣布,与晶圆代工厂世界先进(VIS)计划成立一家制造合资企业VisionPower半导体制造公司(VSMC),在新加坡建造一座新的300毫米晶圆厂。该厂将支持130纳米至40纳米混合信号、电源管理和模拟产品,面向汽车、工业、消费和移动终端市场。基础工艺技术计划从台积电获得许可并转让给合资企业。

该合资企业将于2024年下半年开始晶圆厂的初始阶段建设,等待收到所有必要的监管批准,2027年向客户提供初始生产。该合资企业将作为一家独立的商业代工供应商运营,为两个股权合作伙伴提供有保证的比例产能,预计2029年每月产量为5.5万片300毫米晶圆。在第一阶段成功启动后,将考虑并制定第二阶段,等待双方股权合作伙伴的承诺。

初步扩建的总成本预计为78亿美元。世界先进将注入24亿美元,占合资企业60%的股权,恩智浦将注入16亿美元,为剩余40%的股权。世界先进和恩智浦已同意额外出资19亿美元,用于支持长期产能基础设施。包括贷款在内的剩余资金将由第三方向合资企业提供。晶圆厂将由世界先进运营。



2.NXP宣布与采埃孚合作开发SiC牵引逆变器

恩智浦(NXP)日前宣布,与采埃孚公司合作,开发下一代基于碳化硅(SiC)的电动汽车牵引逆变器方案。通过利用恩智浦先进的GD316x高压(HV)隔离栅极驱动器,该方案旨在加速800-V和SiC功率器件的采用。该系列提供的安全、高效、高性能牵引逆变器可用于扩展电动汽车的续航里程,减少充电次数,同时降低原始设备制造商的系统级成本。

牵引逆变器是电动汽车电动动力系统的关键部件,它将电池的直流电压转换为时变交流电压,从而驱动车辆的电机。与上一代硅基IGBT和MOSFET功率开关相比,SiC功率器件需要与高压隔离栅极驱动器配对,以利用更高的开关频率、更低的传导损耗、更好的热特性和更高的高电压鲁棒性等优势。



3.英特尔出售爱尔兰工厂49%股份,获110亿美元

据快科技消息,英特尔近期宣布,已同意以110亿美元的价格将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份出售给阿波罗全球管理公司。这一举措旨在为英特尔的大规模扩张计划引入更多外部资金,同时缓解公司的财务压力。

Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一使用极EUV光刻技术的芯片制造工厂,对采用Intel 4和Intel 3制程的晶圆提供支持,迄今为止,英特尔已在该工厂投资了184亿美元。此次交易预计在2024年第二季度完成,是英特尔宣布的第二项半导体共同投资计划(SCIP)的一部分。



4.英伟达黄仁勋否认三星HBM未通过测试

据IT之家消息,英伟达黄仁勋在2024台北国际电脑展上,表示仍在认证三星公司的HBM内存,否认三星HBM未通过任何英伟达测试,并表示认证三星HBM需要更多工作和耐心。

自SK海力士开始向英伟达供应HBM3和更先进的HBM3e芯片以来,其股价一路飙升,而三星在HBM领域处于追赶状态。



5.安森美推出提高数据中心能效的完整电源解决方案

安森美(onsemi)日前宣布推出)最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合,为数据中心应用提供了一种完整解决方案,该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容,可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。T10 PowerTrench系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计,以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案,数据中心能够减少约1%的电力损耗。

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