abc

【芯资讯】HBM产能排挤,DRAM内存下半年或供不应求|ICNET_半导体_存储_ETime
  • 标题
  • 全文

首页 > 【芯资讯】HBM产能排挤,DRAM内存下半年或供不应求

【芯资讯】HBM产能排挤,DRAM内存下半年或供不应求
2024-05-21 标签: ICNET  半导体  存储 来源:ICNET网络整合

1.调研:至年底HBM投片量将占DRAM总体40%

据财联社消息,集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。

其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50%-60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。



2.HBM产能排挤,DRAM下半年或供不应求

据中国台湾工商时报报道,三星、SK海力士及美光皆积极投入高带宽内存(HBM)制程,法人表示,在产能排挤效应下,下半年DRAM产品恐供不应求,预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。

由于HBM获利表现佳,加上需求续增,生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看,2024年HBM3e将是市场主流,集中在2024年下半年出货,期间同属内存需求旺季,DDR5与LPDDR5(X)预期需求也将看增。在HBM投片比重扩大的情况下,将使得产出有限,下半年产能配置,将会是供给是否充足的关键。



3.存储器模块厂一季度存货攀高峰

据科创板日报引述中国台湾电子时报,尽管消费性电子产品需求疲弱,但AI及云端服务器等高端应用供不应求,持续拉动合约市场价格上扬,上游存储器原场看好涨势将有望延续至2025年。存储器模块厂积极备货,截至2024年第一季的存货金额攀升高点,各家存货周转天数约接近6-8个月。



4.台积电CoWoS先进封装产能供不应求

据快科技消息,数据中心GPU需求激增,特别是英伟达H100等AI芯片需求量的大幅上升,导致台积电面临CoWoS先进封装技术的产能危机。台积电为了应对这一挑战,计划在2024年全面提升封装产能,预计年底每月产能将达到4万片,相比2023年提升至少150%。

同时,台积电已经在规划2025年的CoWoS产能计划,预计产能可能还要实现倍增,其中英伟达的需求占据了一半以上。然而,CoWoS封装技术中的一个关键瓶颈是HBM芯片,HBM3/3E的堆叠层数将从HBM2/2E的4到8层升至8到12层,未来HBM4更是升至16层,无疑增加了封装的复杂性和难度。



5.传苹果高管访问台积电,预定所有初期2纳米产能

据IT之家消息,苹果公司首席运营官杰夫・威廉姆斯昨日访问台积电,最新消息称双方举办了一场“秘密会议”,苹果将包圆台积电所有初期2纳米工艺产能。

集邦咨询曝料称苹果高管本次访问台积电,全程受到魏哲家亲自接待。苹果这次低调的访问是为了确保台积电的先进制造能力,可能是2纳米工艺,用于苹果公司内部的人工智能芯片。



6.预测:2030年RISC-V架构将占据25%市场份额

据IT之家消息,分析机构Omdia发布新一期报告,指出RISC-V架构预计在2030 年占据25%市场份额。Omdia 预计基于RISC-V的芯片出货量将从今年起“每年增加50%”,预计2030年达到170亿芯片出货量。RISC-V应用最广的行业将是工业,预计占销售额的46%;汽车行业的增长量最快,预计相关架构芯片出货量每年将增长66%。

分析重点强调了RISC-V对汽车行业的优势,从商业模式来说,X86是封闭的指令架构,功耗最高;Arm扩展性不及X86但能耗居中,而RISC-V架构指令精简,没有历史包袱,功耗也最低,可以在提升汽车系统的整体性能,降低制造成本。

推荐阅读Recommend
热门文章hot

IC交易网订阅号

ETIME元器件