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三星存储工厂突发断电,接下来的故事不用说你也知道
2020-01-06 标签: ICNET  存储  元件与制造 来源:ICNET


据韩联社12月31日报道,三星电子位于韩国华城的一座芯片工厂在当天发生断电事故,该事故持续约1分钟,造成DRAM和NAND芯片的生产进程中断,预计两到三天才能恢复产能。


【三星华城工厂遭遇断电事故的报道 来源:韩联社】


韩联社的报导还指出,2018年三星电子的平泽芯片厂也曾发生停电事故,当时的损失金额估计达到500亿韩元(约合4300万美元),而这次的断电事故所造成的损失,估计应该有几十亿韩元,约合数百万美元。


根据上面的报道可以看出,这次断电对三星电子造成的影响并不大,经济上的损失以三星的体量微不足道,且生产的中断只要3天就能恢复。然而对全球闪存市场来说,这次事故之后,市场行情会怎么走,才是真正的焦点所在。


据相关介绍,这次断电的华城工厂在三星电子旗下的编号是Fab 17,该厂现同时生产DRAM和NAND,但DRAM产能占的比重更大,突发停产也是对全球DRAM市场的影响更大。综合测算,按照停产三天计算,今年1月全球DRAM供应量将会损失1%(1.25万片wafer)。这看似微小,但仍然可能推动全产业链的涨价。


具体分析这一点,根据调研机构DRAMeXchange的行情数据,在去年12月中旬,DRAM现货价格止跌转升,改变了市场预期,激起了合约市场中买方的备货意愿。按照当时的预估,DRAM合约价可能在今年Q1止跌转升。


由此看,DRAM现在本来就有涨价预期,再加上这次三星华城工厂的停产因素,预料之中的涨价很可能来得更早。


再看NAND这边,即便不算这次断电事故的影响,其自身的变化也由来已久。根据中国闪存市场的行情统计,整个2019年NAND共有两次涨价,第一次是在7月份,涨幅曾一度逼近30%;第二次是在11月底,到去年年底为止已经涨价14%,且这一趋势还在延续。


【2019消费类NAND综合价格指数走势 来源:中国闪存市场】


回顾NAND在去年7月份的这次涨价,当时东芝闪存工厂断电、日本对韩国实行出口管制等突发事件作用于市场供给端,在短期内使NAND价格迅速上涨。然而年中并非电子市场旺季,没有需求端的配合,这波行情也没有走远。


去年11月底的这次涨价则有所不同。首先,电子市场旺季到来,再加上5G市场的预期,需求端一改之前的萎靡;而在供给端,几大闪存厂在2019年的持续减产也终于发挥效用,切实地影响力市场供给。最终,供需配合终于造就了本次NAND涨价行情。


据中国闪存市场的行情数据,512Gb TLC闪存Wafer在去年11月底的报价为4.1美元,到12月底就涨到4.5美元,涨幅接近10%。在上游涨价情况下,存储产品的价格也会水涨船高。据观察,现在市面上不少SSD产品的价格跟11月份比都有不同幅度的上涨。


再回到2019年最后一天发生在三星Fab 17的断电事故,这个时候NAND市场已经积累了一定涨价幅度,再添变数,无异于给NAND价格“空中加油”,最终结果就是让NAND价格飞得更高、飞得更长。


另一方面,考虑到2020年各厂128层NAND上市、中国闪存厂开始供货等因素看,未来的NAND市场还是有一股克制的力道,究竟它能在多大程度上平抑掉涨价的趋势,只能走一步看一步。


最后再总结一下这次断电事故,首先它肯定是影响到了市场的供给,只是程度有待观察。再看需求端,5G手机兴起很可能使得今年Q1电子行业呈现出“淡季不淡”的局势,届时供需缺口会拉得更大,存储器涨价势头也会更猛,这对处于下游的电子制造业和终端消费者显然不利。


然而以三星自身的角度来看,这次断电能够起到去库存的作用,且存储器的涨价因此延续的话,也能让三星获得更好的财务表现,对其而言是利远大于弊。



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