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【ICNET独家】集成电路封装基础知识----TO封装(二)
2015-11-16 标签: 封装基础知识 来源:ICNET原创

什么是TO封装?

TO的英文全名是:Transistor Outline (晶体管外形),是一种晶体管封装,旨在使引线能够被成型加工并用于表面贴装。


为了更好的理解,那小编先给大家介绍下晶体管(Transistor)

1947年12月16日,威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。1950年,威廉·邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor),就是现在通行的标准的晶体管。后来威廉·邵克雷(William Shockley)也被人称为晶体管之父。


什么是晶体管(Transistor)?

晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管利用电讯号来控制自身,其响应速度快,准确性高,可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。且体积小,结实可靠,电能消耗极小,寿命更长,常用于放大器或电控开关。


晶体管的分类

晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(Bipolar Transistor 简称BJT)和场效应晶体管(Field Effect Transistor 简称FET)。

双极性晶体管(BJT)是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体管,它的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector),有NPN型管和PNP型管两种类型:

场效应晶体管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路,它的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。有结型场效应管(Junction FET,简称JFET )和绝缘栅场效应管(Metal-oxide Semiconductor FET,简称MOS管)两种类型:


随着晶体管的应用,TO封装技术也开始发展,从塑料材质,到金属材质,不同的厂家TO封装有不同的命名,但命名规则都是由封装代号+管脚数组成:例如:TO-220-5,其中TO-220表示封装的代号,后面的5表示其管脚数。

小编整理了下常见的TO封装:



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