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英特尔“抛弃”美光 接下来将携手紫光?
2018-01-22 标签: ICNET  半导体 来源:ICNET


在本届CES大会前夕,英特尔宣布将结束与闪存芯片厂商美光的合作关系。据了解,英特尔与美光的合作关系从2005年延续至今,可谓互惠互利,那么二者又为何选择此时结束合作关系?今后英特尔与美光各自又将如何发展?


蜜月期早已成过往 分道扬镳不意外


英特尔与美光的合作关系须追溯到2005年,彼时双方看重NAND产业的良好前景,于是便由英特尔出资、美光提供技术成立合资公司IM Flash(IMF)。根据合作协议,这家公司出产的闪存芯片仅供给英特尔和美光两家公司,不对外出售。



最开始,IMF从事72nm闪存颗粒的生产。历经发展,IMF于2007年达到了闪存市场10%的市占比,成为三星、东芝、SK海力士之后的第四大闪存势力。另外,IMF成立较短时间即取得苹果公司订单,也证明了其具有较强的竞争力。


技术上,IMF也颇具后发先至的势头。当时三星、东芝及海力士都还停留在40nm制程,而IMF却计划直接跳到34nm,展现出很强的野心。以上历程,可看做英特尔与美光合作的“蜜月期”。


然而,英特尔与美光市场战略存在很大区别。英特尔仅把来自IMF的闪存颗粒用于自家SSD产品,主攻企业级市场,而美光则力求在闪存市场争取更多份额,特别是智能手机大规模崛起后。基于战略差异,英特尔更看重3D NAND,因为其用于SSD可以极大扩充容量。至于当时的16nm平面闪存,英特尔则选择放弃,将其留给美光自行开发。由此,两家公司的合作开始出现分歧。


2012年,英特尔将IMF的股份悉数出给美光,仅保留最初联合拥有的犹他州莱希工厂。后续,英特尔与美光完成一代32层、二代64层堆叠3D NAND的研发。而这次英特尔宣布在2019年初第三代96层闪存研发完成后,结束与美光的合作关系。


至于为何在此时间点分道扬镳,外界认为最根本的原因在于技术。据了解,英特尔——美光阵营所采用的浮动栅极架构的技术潜力小于三星等厂商的电荷陷阱架构,前者在100层以上的堆叠难以推进。而当前正是英特尔或美光发现了这一重大问题,才导致合作最终走向尽头。


不过值得一提的是,英特尔与美光合作的3D XPoint闪存并未终止。目前,英特尔已发布成型的3D XPoint产品“傲腾”闪存,而美光还没有产品推出。原理上看,3D XPoint有别于DRAM和NAND,性能潜力远超后两者。英特尔与美光保留3D XPoint的合作,对未来发展无疑是有利的。


英特尔重视中国市场 或携手紫光共同进军


就在跟美光“分手”的同时,又有消息曝出英特尔将与紫光合作,以技术授权的方式在中国出产3D NAND闪存。实际上,英特尔看重中国市场许久,在2015年就将位于大连的芯片转型生产NAND。


不过事情不如预想中美好,跟三星西安工厂相比,英特尔的大连厂长期边缘化,布局NAND也太晚,难以承载大的战略意图。对英特尔来说,要想迅速开拓中国市场,最实际的办法就是与本土供应商展开合作,因此与紫光牵线搭桥具备了先决条件。


实际上,英特尔与紫光并不陌生。2014年,紫光将展讯、锐迪科20%的股份出售给英特尔,从而拉到强援,助紫光在芯片领域大展身手。2015年,紫光收购美光和西部数据的努力均告失败,其后便将精力放在国内企业的整合。


2016年,紫光收购武汉新芯并注册成立长江存储,其首要目标是尽快量产32层NAND,后续还将发力追赶世界先进水准。不难设想,如果没有外部技术支援,本土NAND很难缩短差距,而有了英特尔,紫光追赶的脚步将大大加快。只是这二者之间的合作真的能如愿以偿吗?这就需要从几个方面考虑。


首先,英特尔在闪存领域却并不强势。不论是技术还是市场,其主导作用的三星、SK海力士和东芝,英特尔还只是后进生,拉上新入门的紫光能否逆袭很难说。

其次,英特尔把闪存技术授权给美光,还面临着政府监管的问题。美国方面肯定会将中国厂商视作扰乱市场供求关系的势力而加以防范。因此英特尔与紫光能否真正携手,还不能够下定论。


留下美光怎么办?


美光与英特尔分道扬镳不可避免。目前,两家公司正在合作开发第三代96层闪存,在这一产品成为市场主流之前,英特尔与美光的技术出现大的差异。至于再之后浮动栅极架构是否还有前途,现在还难以判断。


尽管闪存合作行将终结,但英特尔与美光还将继续开发3D XPoint,这一革命性技术有颠覆现有闪存格局的潜力,但离市场主流还很遥远,至于这部分合作是否能够顺利,还需时间检验。



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